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Particulièrement performants pour l'électronique de puissance, les technologies de nitrure de gallium (GaN) atteignent la maturité suffisante pour passer à l'industrialisation. Mais de nombreuses optimisations sont encore possibles, comme l'a dévoilé Véronique Sousa, directrice de laboratoire au CEA-Leti, lors d'un séminaire consacré à cette technologie : « Nous travaillons sur les "wide band gap" [large bande interdite, ndlr] (SiC ou GaN), bien meilleures que les technologies silicium actuelles en raison de leurs propriétés électromagnétiques ».

La technologie GaN est en effet connue pour sa très bonne conductivité. Un atout clef en faveur de cette technologie, sachant que les semi-conducteurs de puissance représentent des briques technologiques indispensables à l’électrification de la société. Désormais industrialisables, plusieurs verrous technologiques occupent la communauté scientifique pour doper encore davantage les performances des semi-conducteurs de type GaN.

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